• 分類(lèi)：專(zhuān)題專(zhuān)欄
• 作者：泰州巨納新能源辦公室
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• 發(fā)布時(shí)間：2016-12-16 22:53
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【概要描述】? ? ? ?拓撲絕緣體是一種近幾年被發(fā)現的新型量子物質(zhì)態(tài)，在能量無(wú)耗傳輸、自旋電子學(xué)以及量子計算機等方面有著(zhù)很大的應用前景。除了奇異的不受缺陷和非磁性雜質(zhì)散射的拓撲表面態(tài)外，在拓撲絕緣體中引入一個(gè)螺旋位錯的線(xiàn)缺陷，還可能會(huì )產(chǎn)生一對拓撲保護的一維螺旋態(tài)，從而創(chuàng )造一條完美的導電通道。類(lèi)石墨烯層狀結構的硒化鉍Bi2Se3因其簡(jiǎn)單的能帶結構、遠大于室溫的能量漲落體帶隙，被認為是最有前景的拓撲絕緣體材料之一。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實(shí)驗室和化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院曾杰教授課題組基于特色的可控制備手段，從晶體生長(cháng)的動(dòng)力學(xué)理論出發(fā)，通過(guò)將反應體系維持在極低的過(guò)飽和條件下，使硒化鉍在成核過(guò)程中產(chǎn)生螺旋位錯的缺陷，從而誘導層狀材料進(jìn)行雙向的螺旋生長(cháng)，打破硒化鉍本征的晶體生長(cháng)模式。此外，研究人員還通過(guò)對螺旋生長(cháng)速度的控制，合成出不同發(fā)展程度的螺旋結構，從中闡明了二維層狀材料的螺旋生長(cháng)機理。這項研究為實(shí)現一維拓撲螺旋態(tài)提供了材料基礎，有助于促進(jìn)硒化鉍在拓撲絕緣體、熱電以及催化等方面的新發(fā)展。此外，探索螺旋生長(cháng)的方式對于合成其他二維層狀材料的螺旋結構，從而調制材料的物理性能也有重要的指導意義。 ? ? ? ?巨納集團積極為廣大科研院所提供硒化鉍Bi2Se3等更加優(yōu)異的低維材料，推動(dòng)新型材料的研究。