• 分類(lèi)：專(zhuān)題專(zhuān)欄
• 作者：低維材料在線(xiàn)
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• 發(fā)布時(shí)間：2016-12-23 23:09
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【概要描述】? ? ? ?摻雜和缺陷在很大程度上決定了傳統的半導體材料的器件性能。與傳統半導體類(lèi)似，為了實(shí)現二維過(guò)渡金屬硫族化合物(TMDCs)材料在電子、光電以及光子器件等領(lǐng)域的應用，需要對這一材料進(jìn)行可控摻雜和缺陷調制，從而調控二維材料的能帶結構，載流子的類(lèi)型和濃度，進(jìn)而實(shí)現材料的多功能化與器件集成。與傳統半導體材料相比，二維材料只有一層或幾層原子厚度，從而只有一維線(xiàn)缺陷和零維的點(diǎn)缺陷，并且這些缺陷嚴重的影響二維材料的光電性能。通常用化學(xué)氣相沉積方法合成的二維材料都有不同濃度的本征結構缺陷。如何通過(guò)控制二維材料缺陷的類(lèi)型和濃度從而調控其性能來(lái)實(shí)現其在光電子器件和能源領(lǐng)域的應用是二維材料研究領(lǐng)域的一個(gè)重要挑戰。 ? ? ? ?近期，美國橡樹(shù)嶺國家實(shí)驗室納米中心肖愷研究員領(lǐng)導的團隊通過(guò)等電子金屬摻雜的方法，不但可以實(shí)現對二維材料的能帶結構以及載流子的類(lèi)型和濃度的調控，還可以減少點(diǎn)缺陷的濃度，從而提高材料的質(zhì)量和性能。與摻雜富電子或者缺電子元素不同，等電子元素和基體元素通常具有相似的電子結構和性能，所以摻雜這類(lèi)原子進(jìn)入晶格會(huì )減少晶格不匹配造成的位錯和其它缺陷的引入，但是由于電負性的不同，也可能會(huì )引起晶格中電勢不同從而來(lái)調制載流子的濃度。肖愷團隊在化學(xué)氣相沉積生長(cháng)的過(guò)程中實(shí)現等電子元素鎢(W)置換MoSe2晶格中的部分鉬(Mo)原子，從而形成WxMo1-xSe2二維合金材料。他們利用高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電鏡(ADF-STEM)直接觀(guān)察到了二維晶格中的Se空位缺陷和置換的W原子并且精確測量其濃度。他們發(fā)現通過(guò)W置換摻雜，Se空位缺陷的濃度可以減少至原來(lái)的50%左右, 從而使單層WxMo1-xSe2的發(fā)光強度較之MoSe2提高了10倍之多。另外，理論計算證明等電子元素W摻雜可以減少深能級缺陷態(tài)在單層MoSe2的形成。這項工作給我們提供了一個(gè)新的思路和方法來(lái)調控二維材料中的缺陷，從而提高材料的質(zhì)量和性能來(lái)實(shí)現這類(lèi)材料在未來(lái)光電子器件和能源領(lǐng)域的應用。 ? ? ? ?巨納集團低維材料在線(xiàn)商城91cailiao.cn,專(zhuān)注材料服務(wù)，主要銷(xiāo)售以低維材料為代表的相關(guān)的實(shí)驗室耗材和工具，比如各類(lèi)二維材料,一維材料,零維材料,黑磷BP,石墨烯,納米管,HOPG,天然石墨NG,二硫化鉬MoS2，二硒化鉬MoSe2,二硫化鎢WS2，hBN氮化硼晶體，黑磷，二碲化鎢WTe2，二硫化錸ReS2，二硒化錸ReSe2量子點(diǎn),納米線(xiàn),納米顆粒,分子篩,PMMA.....積極為廣大科研院所提供更加優(yōu)異的低維材料，推動(dòng)新型材料的研究。 ?